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AP4606C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.2A
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- 描述
- SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4606C
- 商品编号
- C2833151
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- N沟道
- P沟道
- 漏源电压VDS = 20 V
- 漏源电压VDS = -20 V
- 漏极电流ID = 5.2 A
- 漏极电流ID = -3 A
- 导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 110 mΩ(栅源电压VGS = -4.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 37 mΩ(栅源电压VGS = 2.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 140 mΩ(栅源电压VGS = -2.5 V)
应用领域
- 用于高功率DC/DC转换和功率开关。
- 适用于作负载开关或脉宽调制应用。
- 这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器和开关电源。
- 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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