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APM4800
N沟道增强型MOSFET,电流:8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- ANPEC(茂达电子)
- 商品型号
- APM4800
- 商品编号
- C2832186
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
WST2300A是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2300A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 30 V / 8 A,VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 15 mΩ(典型值)
- VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 22 mΩ(典型值)
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 可靠耐用
- SO-8 封装
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
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