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DMN1004UFV-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:70A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1004UFV-7
- 商品编号
- C316138
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BLM2305采用先进的沟槽技术，具备出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装电路板面积的33%,可使终端产品更小
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-电池