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DMC62D2SVQ-7
互补对增强型MOSFET，低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、超小表面贴装封装、无铅且符合RoHS标准
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC62D2SVQ-7
- 商品编号
- C28037349
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 480mA；320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V；1.8Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC；1.04nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 40pF；41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF；3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF；4.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于通用接口开关、电源管理功能和模拟开关。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关