CS5N60FA9HD
N沟道,电流:5A,耐压:600V
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS5N60FA9HD
- 商品编号
- C2828123
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 544pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
HSL0107是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSL0107符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 超低栅极电荷 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术
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