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CS1N60C1HD
N沟道,电流:1.5A,耐压:600V
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS1N60C1HD
- 商品编号
- C2828126
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.321克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
HSW6604是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSW6604符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
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