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CS4N65A4R
N沟道,电流:4A,耐压:650V
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS4N65A4R
- 商品编号
- C2826588
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.511克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 100V/322A
- RDS(ON) = 1.4 mΩ（典型值），VGS = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合 RoHS 标准）
应用领域
- 储能
- 电池保护
- 电池供电工具