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STGB19NC60KDT4
20 A、600 V短路耐用型IGBT
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- 描述
- 这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB19NC60KDT4
- 商品编号
- C314017
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输出电容(Coes) | 127pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 50A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.75V@12A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.75V@15V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Cies) | 1.17nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 105ns | |
| 导通损耗(Eon) | 165uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 255uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 28pF |