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PT3400
PT3400 30V/5.8A N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT3400
- 商品编号
- C27911414
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
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