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VS-E7FX0112-M3/I
1.2kV 1A
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- 描述
- 具有优化的正向压降和超快恢复时间性能的先进超快恢复整流器。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于反激式辅助电源中的钳位、缓冲和续流二极管，高压MOSFET和IGBT驱动器的自举和去饱和，以及用于LED照明的Cuk和Sepic电路中的高频整流器。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件的功耗。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VS-E7FX0112-M3/I
- 商品编号
- C27909932
- 商品封装
- SMF(DO-219AB)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 快恢复/高效率二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 正向压降(Vf) | 1.45V@1A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 1.2kV | |
| 整流电流 | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 2uA | |
| 反向恢复时间(Trr) | 50ns | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
采用平面结构和铂掺杂寿命控制技术，确保最佳的整体性能、坚固性和可靠性。这些器件旨在用作反激式辅助电源中的钳位、缓冲和续流二极管，用于高压MOSFET和IGBT驱动器的自举和去饱和，以及用于LED照明的Cuk和Septic电路中的高频整流器。其经过极致优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地降低开关损耗，并减少开关元件中的功耗。
商品特性
- 超快恢复时间，降低的Qrr，以及软恢复
- 最高工作结温175℃
- 针对输出和缓冲操作进行规定
- 低正向电压降
- 低漏电流
- 符合J-STD-020标准，MSL等级1，LF峰值最高260℃
- 符合JESD 201 2级晶须测试
- 材料分类：有关合规性定义，请参见相关文档
应用领域
- 反激式辅助电源
- 高压MOSFET和IGBT驱动器
- LED照明