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2N7002KW_R1_00001
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- N-CH 60V 115mA
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002KW_R1_00001
- 商品编号
- C313495
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
这款 P 型场效应晶体管是采用先进“功率沟槽”工艺制造的坚固型栅极产品。它经过优化，适用于需要多种栅极驱动电压范围（4.5V 至 25V）的电源管理应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为10 V,漏源电流IDS为500 mA时,阻值为3 Ω
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为4.5 V,漏源电流IDS为200 mA时,阻值为4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 专为电池供电系统、固态继电器设计
- 静电放电(ESD)防护达2 kV人体模型(HBM)
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池