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PJA3401A_R1_00001
P沟道增强型MOSFET,电流:-3.6A,耐压:-30V
- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-10V，ID@-3.6A < 54mΩ。 RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-2.3A < 63mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-1.4A < 86mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU & 2015/865/EU指令）的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3401A_R1_00001
- 商品编号
- C313500
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 994pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品特性
- 栅源电压VGS为 -10V、漏极电流ID为 -3.6A时，导通电阻RDS(ON) < 54mΩ
- 栅源电压VGS为 -4.5V、漏极电流ID为 -2.3A时，导通电阻RDS(ON) < 63mΩ
- 栅源电压VGS为 -2.5V、漏极电流ID为 -1.4A时，导通电阻RDS(ON) < 86mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等设计
- 符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU和2015/865/EU指令）的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）