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IMWH170R450M1XKSA1
IMWH170R450M1XKSA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1700 V at TVj = 25℃。 IDDC = 10 A at TC = 25℃。 RDSS(on) = 450 mΩ at VGS = 12 V, TVj = 25℃。 针对反激拓扑进行优化。 12 V / 0 V 栅源电压与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。应用：通用驱动器 (GPD)。 EV 充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMWH170R450M1XKSA1
- 商品编号
- C27838127
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 506pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ |