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PSMN2R6-80YSFX实物图
  • PSMN2R6-80YSFX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN2R6-80YSFX

N沟道 80V 231A

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描述
80 V标准电平栅极驱动MOSFET,可在175℃环境下工作,推荐用于工业和消费应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN2R6-80YSFX
商品编号
C27842463
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)231A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)294W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)5.85nF
反向传输电容(Crss)44pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.385nF

商品概述

NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175°C环境下工作,适用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 低反向恢复电荷(Qrr),效率更高,尖峰更低
  • 231 A ID(max) — 经测试的连续电流额定值
  • 低QG × RD Son品质因数(FOM),适用于高效开关应用
  • 高雪崩能量额定值(Eas)
  • 雪崩额定,100%测试
  • 无卤且符合RoHS标准的LFPAK56E封装

应用领域

  • 交直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)同步整流器
  • 直流-直流(DC-DC)原边开关
  • 无刷直流(BLDC)电机控制
  • USB-PD适配器
  • 全桥和半桥应用
  • 反激和谐振拓扑

数据手册PDF