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PSMN2R6-80YSFX
N沟道 80V 231A
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- 描述
- 80 V标准电平栅极驱动MOSFET，可在175℃环境下工作，推荐用于工业和消费应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R6-80YSFX
- 商品编号
- C27842463
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 231A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.385nF |
商品特性
- 在VGS = 10V时具有低导通电阻（RDS(on)）
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT23封装
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池供电便携式设备的电源管理
- 低端负载开关
- 开关电路
- 高速线路驱动器