MX29GL128EUXFI-11G

该框图展示了此设备的简化架构。框图中的每个块代表实际芯片中用于访问、擦除、编程和读取内存阵列的一个或多个电路模块。 “控制输入逻辑”块接收输入引脚CE#、OE#、WE#、RESET#、BYTE#和WP#/ACC。它根据输入引脚创建内部定时控制信号，并输出到“地址锁存器和缓冲器”以锁存外部地址引脚A0 - AM（A22）。内部地址从该块输出到由“X解码器”、“Y解码器”、“Y通道门”和“闪存阵列”组成的主阵列和解码器。X解码器对闪存阵列的字线进行解码，而Y解码器对闪存阵列的位线进行解码。位线通过Y通道门选择性地与“感测放大器”和“编程数据高压”电连接。感测放大器用于读出闪存的内容，而“编程数据高压”块用于在编程期间有选择地向位线提供高功率。“I/O缓冲器”控制Q0 - Q15/A - 1焊盘上的输入和输出。在读取操作期间，I/O缓冲器从感测放大器接收数据并相应地驱动输出焊盘。在编程命令的最后一个周期，I/O缓冲器将Q0 - Q15/A - 1上的数据传输到“编程数据锁存器”，该锁存器根据用户输入模式控制“编程数据高压”中的高功率驱动器有选择地对一个字或字节中的位进行编程。 “编程/擦除高压”块包括用于生成并向X解码器、闪存阵列和“编程数据高压”块提供必要高压的电路。逻辑控制模块由“写状态机（WSM）”、“状态寄存器”、“命令数据解码器”和“命令数据锁存器”组成。当用户通过切换WE#发出命令时，Q0 - Q15/A - 1上的命令被锁存在命令数据锁存器中，并由命令数据解码器进行解码。状态寄存器接收命令并记录设备的当前状态。WSM根据当前命令状态通过控制框图中的每个块来实现编程或擦除的内部算法。 主闪存阵列可以组织为字节模式（x8）或字模式（x16）。地址范围和相应扇区地址的详细信息如表1所示。 要执行读取操作，系统通过提供所需的地址来寻址所需的内存阵列或状态寄存器位置。

• 电源操作：
  • 读取、擦除和编程操作的电压为2.7至3.6伏
  • MX29GL128E H/L：VI/O = VCC = 2.7V~3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配
  • MX29GL128E U/D：输入/输出的VI/O = 1.65V~3.6V
  • 字节/字模式可切换
  • 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16
  • 64KW/128KB统一扇区架构
  • 128个相等的扇区
  • 16字节/8字页读取缓冲区
  • 64字节/32字写入缓冲区
  • 额外的128字扇区用于安全
  • 具有工厂锁定和可识别功能，且客户可锁定
  • 先进的扇区保护功能（固态和密码保护）
  • 从 - 1V到1.5xVcc的闩锁保护可达100mA
  • 低Vcc写入禁止：Vcc ≤ VLKO
  • 与JEDEC标准兼容
  • 引脚和软件与单电源闪存兼容
  • 深度掉电模式
• 高性能：
  • 快速访问时间：
    • MX29GL128E H/L：90ns（VCC = 2.7~3.6V）
    • MX29GL128E U/D：110ns（VCC = 2.7~3.6V，VI/O = 1.65V到Vcc）
  • 页访问时间：
    • MX29GL128E H/L：25ns
    • MX29GL128E U/D：30ns
  • 快速编程时间：10us/字
  • 快速擦除时间：0.5s/扇区
  • 低功耗
  • 低有源读取电流：在5MHz时典型值为10mA
  • 低待机电流：典型值为20uA
• 典型的100,000次擦除/编程周期
• 20年数据保留
• 软件特性：
  • 编程/擦除暂停和编程/擦除恢复
  • 暂停扇区擦除操作，以便从非擦除扇区读取数据或向其编程数据
  • 暂停扇区编程操作，以便从非编程扇区读取数据
  • 状态回复：
    • 数据#轮询和切换位可检测编程和擦除操作完成情况
    • 支持通用闪存接口（CFI）
• 硬件特性：
  • 就绪/忙#（RY/BY#）输出：提供检测编程和擦除操作完成的硬件方法
  • 硬件复位（RESET#）输入：提供将内部状态机复位到读取模式的硬件方法
  • WP#/ACC输入引脚：硬件写保护引脚/提供加速编程能力
• 封装：
  • 56引脚TSOP
  • 64球FBGA（10mm x 13mm）
  • 64球LFBGA（11mm x 13mm）
  • 70引脚SSOP
  • 所有器件均符合RoHS标准且无卤素