MX25L12833FMI-10GTR

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L12833FMI-10GTR
商品编号: C2802707
商品封装: SOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护

商品概述

该器件是一款3V、128M位CMOS MXSMIO（串行多I/O）闪存，支持串行外设接口模式0和模式3。它采用单电源供电，读取、擦除和编程操作的电压范围为2.7V至3.6V。其存储结构为134,217,728×1位，或67,108,864×2位（双I/O模式），或33,554,432×4位（四I/O模式）。该器件支持单I/O、双I/O和四I/O协议，并具备四线外设接口。其锁存保护能力为100 mA，范围从-1 V至Vcc+1V。它支持高达133MHz的时钟频率，适用于所有协议，并支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令。快速读取操作的可配置虚拟周期数。存储器组织为每个4K字节的相等扇区，或每个32K字节的相等块，或每个64K字节的相等块，任何块均可单独擦除。编程方面，它具有256字节页缓冲器，并采用四输入/输出页编程以提升编程性能。典型擦除/编程周期为100,000次，数据保存期限为20年。软件特性包括1字节命令码输入数据格式、高级安全功能、块锁定保护（由BP0-BP3和T/B状态位定义受保护区域大小，防止编程和擦除指令）、高级扇区保护功能以及额外的8K位安全一次性可编程存储器，该存储器具有标识符，可工厂锁定识别和客户锁定。

商品特性

支持串行外设接口模式0和模式3
单电源供电操作，读取、擦除和编程电压范围为2.7V至3.6V
134,217,728×1位、67,108,864×2位（双I/O模式）或33,554,432×4位（四I/O模式）存储结构
支持单I/O、双I/O和四I/O协议
锁存保护能力达100 mA，范围从-1 V至Vcc+1V
支持高达133MHz时钟频率，适用于所有协议
支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
快速读取操作的可配置虚拟周期数
提供四线外设接口
存储器组织为每个4K字节的相等扇区，或每个32K字节的相等块，或每个64K字节的相等块
任何块均可单独擦除
256字节页缓冲器
四输入/输出页编程，以提升编程性能
典型擦除/编程周期为100,000次
数据保存期限20年
输入数据格式为1字节命令码
高级安全功能，包括块锁定保护
BP0-BP3和T/B状态位定义受保护区域大小，防止编程和擦除指令
高级扇区保护功能
额外的8K位安全一次性可编程存储器，具有标识符，可工厂锁定识别和客户锁定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	128Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V