MX29LV640EBXEI-70GTR
MX29LV640EBXEI-70GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX29LV640EBXEI-70GTR
- 商品编号
- C2802728
- 商品封装
- TFBGA-48(8x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;上电复位 |
商品特性
- 8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构
- 8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127
- 额外的128字扇区用于安全功能
- 具有出厂锁定和可识别特性,以及客户可锁定特性
- 扇区组保护/芯片解除保护
- 提供扇区组保护功能,防止在受保护的扇区组中进行编程或擦除操作
- 提供芯片解除保护功能,允许更改代码
- 提供临时扇区组解除保护功能,用于在先前受保护的扇区组中更改代码
- 单电源供电操作
- 2.7V 至 3.6V 用于读取、擦除和编程操作
- 抗闩锁保护至 100mA,电压范围从 -1V 到 1.5×Vcc
- 低 Vcc 写入禁止:Vcc ≤ Vlko
- 兼容 JEDEC 标准
- 引脚排列和软件兼容单电源闪存
- 高性能
- 快速访问时间:70ns
- 快速编程时间:11us/字(典型值)
- 快速擦除时间:0.5秒/扇区,45秒/芯片(典型值)
- 低功耗
- 低有源读取电流:9mA(典型值)@ 5MHz
- 低待机电流:5uA(典型值)
- 100,000 次擦除/编程循环(典型值)
- 20 年数据保持期
- 擦除挂起/擦除恢复
- 挂起扇区擦除操作,以便从另一个未被擦除的扇区读取数据或向其编程数据
- 状态回复
- Data# 轮询和翻转位提供编程和擦除操作完成的检测
- 支持通用闪存接口 (CFI)
- 就绪/忙# (RY/BY#) 输出
- 提供检测编程和擦除操作完成的硬件方法
- 硬件复位 (RESET#) 输入
- 提供将内部状态机复位到读取模式的硬件方法
- WP#/ACC 输入引脚
- 提供加速编程能力
- 48引脚 TSOP 封装
- 48球 FBGA 封装
- 所有器件均符合 RoHS 标准
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