商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | - | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | - | |
| 插入损耗 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 5.5dBm | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装的NPN硅锗微波晶体管，适用于高速、低噪声应用。
商品特性
- 低噪声高增益微波晶体管
- 在12 GHz时噪声系数（NF）为1.45 dB
- 在12 GHz时最大功率增益高达14 dB
- 采用110 GHz fT硅锗技术
应用领域
- 直播卫星（DBS）低噪声下变频器（LNB）中的第二级低噪声放大器（LNA）和混频器级
- 微波通信系统的低噪声放大器
- Ka波段介质谐振振荡器（DRO）
- 低电流电池供电应用
- 微波驱动/缓冲应用
- 全球定位系统（GPS）
- 远程无钥匙进入系统（RKE）
- 各向异性磁电阻（AMR）
- 紫蜂协议（ZigBee）
- FM收音机
- 移动电视
- 蓝牙