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PN8034SSC-R1B
650V 250mA
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- 描述
- PN8034集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8034内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034的降频调制技术有助于改善EMI特性。
- 品牌名称
- chipown(芯朋微电子)
- 商品型号
- PN8034SSC-R1B
- 商品编号
- C2798024
- 商品封装
- SOP-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 是否隔离 | 非隔离 | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 开关频率 | - | |
| 输出电流 | 250mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 最大占空比 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶体管耐压 | 650V | |
| 拓扑结构 | - | |
| 功能特性 | 高压直接启动；前沿消隐；过热保护(OTP)；欠压锁定；欠压保护(UVP)；EMI优化(抖频模式) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作模式 | CCM；DCM | |
| 输出电压 | 12V | |
| 反馈方式 | - |
商品概述
PN8034集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。该芯片内置高压启动模块，可实现系统快速启动、超低待机功能，还提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。此外，PN8034的降频调制技术有助于改善EMI特性。
商品特性
- 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
- 内置高压启动电路
- 优化适用于12V输出非隔离应用
- DIP - 7封装半封闭式稳态输出功率3.6W@230VAC
- SOP - 7封装半封闭式稳态输出功率3.0W @230VAC
- 改善EMI的降频调制技术
- 优异的负载调整率和工作效率
- 全面的保护功能，包括过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、欠压保护（UVLO）
应用领域
- 非隔离辅助电源