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PT2302B
N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。应用：低端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT2302B
- 商品编号
- C27301713
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS