- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
D0811PM2FDGUK-U
低功耗DRAM (LPDDR4 FBGA)
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- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D0811PM2FDGUK-U
- 商品编号
- C27300677
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品概述
芯片密度：8Gbits 组织架构：
- x 16位：64M字 x 16位 x 8个存储体
- 一个封装内有2个8Gb（x16）芯片（适用于16Gb）
- 行地址：R0 ~ R15
- 列地址：C0 ~ C9 封装：200球FBGA 电源：
- VDD1 = 1.8V（1.70V至1.95V）
- VDD2、VDDCA和VDDQ = 1.1V（1.06V至1.17V） 数据速率：
- 最大3733Mbps，向后兼容 每个通道有8个内部存储体，可并发操作
- 突发长度（BL）：16、32和动态调整
- 动态调整模式通过MRS启用
- 可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL）
- 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 可编程驱动强度 刷新：自动刷新、自刷新 刷新周期：8192周期/32ms 平均刷新周期：3.9μs 工作温度范围：
- TC = -25°C至+85°C（标准）
- TC = -40°C至+95°C（工业温度）
商品特性
- 低功耗
- 每个存储体刷新
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 存储体屏蔽
- 分段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
- 双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
- 在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能