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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40@20mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@50mA,4.0mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该系列高频外延平面晶体管具有低饱和电压特性。这些器件也有TO - 39、低外形U4和UA封装可供选择。美高森美（Microsemi）还提供众多其他晶体管产品，以满足通孔和表面贴装封装中不同开关速度要求下的高低功率额定值。
商品特性
- JEDEC注册的2N3439至2N3440系列。
- 可提供符合MIL - PRF - 19500/368标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS等级产品。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
- 当IC = 50 mA时，VCE(sat) = 0.5 V。
- 当IC = 20 mA、IB1 = 2.0 mA时，导通时间ton最大为1.0 μs。
- 当IC = 20 mA、IB1 = -IB2 = 2.0 mA时，关断时间toff最大为10 μs。
应用领域
适用于需要高频开关和低封装外形的中功率通用晶体管应用。
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/袋，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1个/袋
总价金额：
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