- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R026M2HXTMA1
1200V SiC MOSFET G2
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，Tvj = 25℃。 IDDC = 53 A，Tc = 100℃。 RDS(on) = 25.4 mΩ，VGS = 18 V，Tvj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达Tvj = 200℃。 短路耐受时间2 μs。应用：电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R026M2HXTMA1
- 商品编号
- C27227247
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 耗散功率(Pd) | 335W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.4mΩ |
商品特性
- 漏源电压 V_DSS = 1200 V（结温 T_vj = 25°C 时）
- 漏极直流电流 I_DDC = 53 A（壳温 T_C = 100°C 时）
- 导通电阻 R_DSS(on) = 25.4 mΩ（栅源电压 V_GS = 18 V、结温 T_vj = 25°C 时）
- 极低的开关损耗
- 过载运行结温可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压 V_DDC(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管稳健，适用于硬换流
- XT 互连技术，提供一流的散热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器