L6569AD013TR

该器件是一款内置振荡器的高压半桥驱动器。振荡器的频率可通过外部电阻和电容进行编程。该器件的内部电路也允许其由外部逻辑信号驱动。 输出驱动器旨在驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑确保了一段死区时间[典型值为1.25μs]，以避免功率器件发生直通现象。 有两个版本可供选择：L6569和L6569A。它们的区别在于低压栅极驱动器的启动顺序。

• 高压轨最高可达600V
• BCD离线技术
• 内部自举二极管结构
• VS端有15.6V齐纳钳位
• 驱动器电流能力：灌电流 = 270mA，拉电流 = 170mA
• 极低的启动电流：150μA
• 带迟滞功能的欠压锁定
• 可编程的振荡器频率
• 死区时间1.25μs
• dV/dt抗扰度最高可达±50V/ns
• ESD保护