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2N7002DW_R1_00001
N沟道,电流:115mA,耐压:60V
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002DW_R1_00001
- 商品编号
- C304051
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS为10 V、IDS为500 mA时，RDS(ON) = 5 Ω
- 当VGS为4.5 V、IDS为75 mA时，RDS(ON) = 7.5 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计：适用于继电器、显示器、灯具、螺线管、存储器等
- 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令
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