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HY1606B
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:66A
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- 描述
- 特性：60V/66A，RDS(ON) = 10.4mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 100% avalanche tested。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅环保器件。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1606B
- 商品编号
- C2757853
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.068nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 764pF |
商品特性
- 高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理