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IXFT120N30X3HV引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFT120N30X3HV

N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,采用国际标准封装,具有低封装电感、高功率密度、易安装和节省空间等优点

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFT120N30X3HV
商品编号
C26926973
商品封装
TO-268HV​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))8.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)735W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)170nC
属性参数值
输入电容(Ciss)10.5nF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.376nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷QG
  • 具备雪崩耐量
  • 封装电感低
  • 功率密度高
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF