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IXTP10N60P引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP10N60P

N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,具有快速本征整流器,采用国际标准封装

品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTP10N60P
商品编号
C26926996
商品封装
TO-220AB​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))740mΩ@10V
耗散功率(Pd)200W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)32nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.72nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征整流器
  • 低栅极电荷(QG)
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动器
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF