- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R234M2HXTMA1
低开关损耗碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R234M2HXTMA1
- 商品编号
- C26670594
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 233.9mΩ |
商品概述
引脚1为栅极，引脚2为开尔文检测接触点，引脚3至7为源极，散热片为漏极。注意：源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致故障。
商品特性
- V_DSS = 1200 V at T_vj = 25°C
- I_DDC = 6.2 A at T_C = 100°C
- R_DS(on) = 233.9 mΩ at V_GS = 18 V, T_vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载工作温度可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用 .XT 互连技术，实现的散热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业用不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器