- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISC320N12LM6ATMA1
N沟道 120V 24A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC320N12LM6ATMA1
- 商品编号
- C26671051
- 商品封装
- SON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道，逻辑电平
- 极低的导通电阻
- 优异的栅极电荷与导通电阻乘积
- 极低的反向恢复电荷
- 高雪崩能量额定值
- 175°C 工作温度
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤素
- 根据J-STD-020标准分级为MSL-1