- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMBG75R016M1HXTMA1
适用于高温恶劣环境的碳化硅汽车功率MOSFET
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMBG75R016M1HXTMA1
- 商品编号
- C26523211
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 耗散功率(Pd) | 384W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.869nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 236pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ |
商品概述
750V CoolSiC MOSFET 基于英飞凌二十余年开发的坚实碳化硅技术。凭借宽禁带碳化硅材料的特性，该750V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。它适用于高温和恶劣工况，能够以简化且具成本效益的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 高度稳健的750V技术，100%经过雪崩测试
- 业界领先的 RDS(on)×QfI 值
- 优异的 RDS(on)×Qoss 和 RDS(on)×QG 值
- 低 CISS/CISS 与高 VGS(th) 的独特组合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- 提供驱动源极引脚
应用领域
- 硬开关半桥
- 软开关拓扑