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AIMDQ75R040M1HXUMA1
750V 47A
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- 描述
- 采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙SiC材料特性，750V MOSFET结合了高性能、可靠性和易用性。适用于高温和恶劣工作环境，能够以低成本实现最高的系统效率。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMDQ75R040M1HXUMA1
- 商品编号
- C26523218
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
750 V CoolSiC™ 基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料特性，750 V CoolSiC™ MOSFET 集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。适用于高温和恶劣工况，可实现高系统效率的简易且经济高效的部署。
商品特性
- 高度稳健的750 V技术，经过100%雪崩测试
- 同类最佳的RDS(on) × Qfr
- 出色的RDS(on) x Qoss和RDS(on) x QG
- 低Crss / Ciss与高VGS(th)的独特组合
- 英飞凌专有芯片贴装技术
- 先进的顶侧散热封装（QDPAK）
- 具备驱动源极引脚
应用领域
- 单向和双向车载充电器以及高压-低压DC-DC转换器：
- 硬开关半桥
- 软开关拓扑