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HX2301A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HX2301A

20V P通道增强型MOSFET,电流:2.3A,耐压:20V

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描述
NP2301FVR采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
HX(恒佳兴)
商品型号
HX2301A
商品编号
C296298
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))112mΩ@4.5V;140mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)325pF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)63pF

商品概述

NP2301FVR采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • VDS = -20 V,ID = -2.3 A
  • RDS(ON)(典型值)= 112mΩ,VGS = -4.5V
  • RDS(ON)(典型值)= 140 mΩ,VGS = -2.5V
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关

数据手册PDF