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HX2300A
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- HX2300A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HX(恒佳兴)
- 商品型号
- HX2300A
- 商品编号
- C296302
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
HX2300A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- ΔVDS = 20 V，ID = 2.5 A
- RDS(ON)(典型值) = 61 mΩ，VGS = 2.5 V
- RDS(ON)(典型值) = 46 mΩ，VGS = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关