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HX3407
P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- HX3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HX(恒佳兴)
- 商品型号
- HX3407
- 商品编号
- C296281
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HX3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- ΔVDS = -30 V，ID = -4 A
- RDS(ON)(典型值) = 65mΩ，@VGS = -4.5V
- RDS(ON)(典型值) = 47mΩ，@VGS = -10V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关