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HX8205A
N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 8205A集成了两个N沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- HX(恒佳兴)
- 商品型号
- HX8205A
- 商品编号
- C296126
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
8205A集成了两个N沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品8205A无铅且无卤素。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC-DC转换电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电