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HD30N06(AEE)
N沟道,电流:30A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD30N06(AEE)
- 商品编号
- C2688953
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.434克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,12A | |
| 功率 | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 778pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 41pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh DM2 快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）也很低，适用于对效率要求极高的转换器，是桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:40 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):0.032 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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