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HD50N06(BAF)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,25A | |
| 功率 | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.27nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 60V/210A
- RDS(ON)= 4mΩ（最大值）@ VGS=10V
- 提供无铅环保器件
- 低导通电阻，以最小化传导损耗
- 高雪崩电流
应用领域
- 电源
- 不间断电源（UPS）
- 电池管理系统