SCT2H12NYTB

这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，该技术与知名的PowerMESH横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。

• 低导通电阻
• 快速开关速度
• 无中心引脚,爬电距离长
• 驱动简单
• 引脚无铅电镀;符合 RoHS 标准

-辅助电源-开关模式电源