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RGT50NL65DGTL
650V、25A场截止型沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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- 描述
- 特性：低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间5μs。 内置超快速软恢复FRD（RFN-系列）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：通用逆变器。 UPS
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RGT50NL65DGTL
- 商品编号
- C2688826
- 商品封装
- TO-263L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 输出电容(Coes) | 56pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 75A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@25A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@17.5mA | |
| 输入电容(Cies) | 1.4nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 27ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 88ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 58ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 22pF |
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