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BFU530A
NPN 电流:65mA 电压:12V
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- 描述
- NPN硅射频晶体管，采用塑料3引脚SOT23封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU530A
- 商品编号
- C2687848
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.251克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 65mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 95@10mA,8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 11GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 2V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
采用塑料 3 引脚 SOT23 封装的 NPN 硅射频晶体管，适用于高速、低噪声应用。 BFU530A 是 BFU5 系列晶体管的一部分，适用于高达 2 GHz 的小信号至中功率应用。
商品特性
- 低噪声、高击穿射频晶体管
- 通过 AEC-Q101 认证
- 在 900 MHz 时最小噪声系数 (NFmin) = 0.6 dB
- 在 900 MHz 时最大稳定增益为 18 dB
- 采用 11 GHz fT 硅技术
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达 2 GHz 的宽带放大器
- 用于工业、科学和医疗 (ISM) 应用的低噪声放大器
- ISM 频段振荡器