温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BFU550R
NPN 电流:50mA 电压:12V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- NPN硅射频晶体管，适用于高速、低噪声应用，采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装。BFU550是BFU5系列晶体管的一员，适用于高达2 GHz的小信号至中功率应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU550R
- 商品编号
- C2687856
- 商品封装
- SOT-143-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 95 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 11GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 2V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
BFU550是一款NPN型硅射频晶体管，用于高速低噪声场景，采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装，属于BFU5晶体管系列，适用于频率最高2GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 低噪声，高击穿射频晶体管
- 符合AEC-Q101认证要求
- 900MHz频率下最小噪声系数为0.7dB
- 900MHz频率下最大稳定增益为21dB
- 采用11GHz f_T硅技术
- T_sp为集电极引脚焊接点温度，该温度与环境温度的关系为T_sp = T_amb + P × R_th(sp-a)，其中P为功耗，R_th(sp-a)为焊接点与环境之间的热阻，热阻由应用的传热特性决定，传热特性由应用电路板材料、电路板布局和使用环境决定
应用领域
- 需要高电源电压与高击穿电压的应用场景
- 频率不超过2GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器