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TPM2008EP3
1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 N沟道开关，低导通电阻RDS(on)。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。 与TPM2009EP3互补。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2008EP3
- 商品编号
- C2682293
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.007克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
4803A采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
-高功率和电流处理能力-提供无铅产品-表面贴装封装
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