温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE55H12-VB
N沟道,电流:210A,耐压:60V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE55H12-VB
- 商品编号
- C2680898
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,30A | |
| 功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 9.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 750pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |