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SI4816BDY-T1-E3-VB
SI4816BDY-T1-E3-VB
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要半桥电路控制的场合，可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8/15A；RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V,VGS=16V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4816BDY-T1-E3-VB商品编号
C2680914商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)
商品参数
参数完善中
优惠活动
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起订量：5 个4000个/圆盘
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