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SI4816BDY-T1-E3-VB
N沟道,电流:13A,耐压:30V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要半桥电路控制的场合，可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8/15A；RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V,VGS=16V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C2680914
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关
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