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SI4816BDY-T1-E3-VB
N沟道,电流:13A,耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要半桥电路控制的场合，可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8/15A；RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V,VGS=16V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4816BDY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C2680914
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
应用领域
-笔记本电脑CPU核心-高端开关
- TPC8050-H-VB
- UPA2726UT1A-VB
- LR2512-22R0035J4
- LR2512-2AR150F4
- LR4527-25R120FA
- LR4527-25R100FA
- LR2512H-22R100F2
- LR2010-21R100F2
- LR2010-21R080F2
- LR2512-21R075F4
- LR4527-25R060FA
- LR2728-23R050F1
- LR2728-24R045F1
- LR1206-21R045F4
- LR2010-21R040F2
- LR1206-21R040F4
- LR2512-22R035F4
- LR2512-22R033F4
- LR1206-21R033F4
- LR4527-25R030FA
- LR2010-21R030F2