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TPC8120-VB
P沟道,电流:-11A,耐压:-30V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOSFET功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高效能耗的应用场景，包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPC8120-VB
- 商品编号
- C2680888
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门功能-服务器-直流/直流转换