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2SK2376-VB
耐压:60V 电流:75A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK2376-VB
- 商品编号
- C2680889
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点（POL）、中间总线转换器（IBC）
- 次级侧
- N沟道MOSFET