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NTMFS0D9N04XLT1G
N沟道逻辑电平MOSFET
- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低反向恢复电荷QRR，具有软恢复特性，以最小化ERR损耗和电压尖峰。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动和开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：高开关频率DC-DC转换。 同步整流
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D9N04XLT1G
- 商品编号
- C25988881
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 278A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.35nF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低反向恢复电荷QRR,具有软恢复特性,以最小化反向恢复能量损耗ERR和电压尖峰
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动和开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-高开关频率DC-DC转换-同步整流