商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 16V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 5pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | 110dB | |
| 静态电流(Iq) | 4.8mA | |
| 输出电流 | 75mA | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 去补偿稳定 |
商品概述
PA89是一款超高压MOSFET运算放大器,设计用于高达75mA的输出电流。输出电压摆幅可超过1000Vₚ₋ₚ。其安全工作区无二次击穿限制,通过选择合适的限流电阻,可在所有类型的负载下观察到。通过采用级联输入电路配置和120dB开环增益,实现了高精度。所有内部偏置均参考一个自举齐纳MOSFET电流源,使PA89具有宽广的电源电压范围和出色的电源抑制比。MOSFET输出级偏置用于A/B类线性工作。外部补偿为用户提供了灵活性。该混合集成电路采用氧化铍基板、厚膜电阻、陶瓷电容器和半导体芯片,以最大限度地提高可靠性、减小尺寸并提供性能。超声波键合铝线在所有工作温度下提供可靠的互连。MO-127高压Power Dip™封装为气密密封且电气隔离。使用可压缩导热垫圈将使产品保修失效。
商品特性
- 1140Vₚ₋ₚ信号输出
- 宽电源电压范围:±75V ~ ±600V
- 可编程电流限制
- 75mA连续输出电流
- 气密密封封装
- 输入保护
应用领域
- 压电定位
- 高压仪器仪表
- 静电偏转
- 半导体测试

