SN74CBTD3306CPWR

SN74CBTD3306C 是一种高速TTL兼容的FET总线开关，具有低导通电阻（ron），可实现最小的传播延迟。该器件在VCC串联集成二极管，为5V输入降至3.3V输出电平提供电平转换。SN74CBTD3306C的A端口和B端口上的主动欠压保护电路通过检测欠压事件并确保开关保持在适当的关闭状态，提供高达-2V的欠压保护。

SN74CBTD3306C被组织为两个1位总线开关，具有独立的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个1位总线开关使用，也可以作为一个2位总线开关使用。当OE为低时，相关的1位总线开关闭合，A端口连接到B端口，允许端口间双向数据流动。当OE为高时，相关的1位总线开关断开，在A端口和B端口之间存在高阻态。

• A和B端口的欠压保护可达-2V
• 集成到Vcc的二极管提供5V输入降至3.3V输出电平转换
• 双向数据流，传播延迟接近零
• 低导通电阻-0.5 V到7 V
• 开关I/O电压范围，VI/O-0.5 V到7 V
• 控制输入箝位电流，IIK±128 mA
• 通过Vcc或GND端子的连续电流±100 mA
• 封装热阻，θJA：
  • D封装 97°C/W
  • PW封装 149°C/W
• 存储温度范围，Tstg -65°C到150°C
• Vcc电源电压 4.5 V到5.5 V
• VIH高电平控制输入电压 2 V到5.5 V
• VIL低电平控制输入电压 0 V到0.8 V
• VI/O数据输入/输出电压 0 V到5.5 V
• TA工作环境温度 -40°C到85°C
• Cin控制输入 3.5 pF
• Cio(OFF) 5 pF
• Cio(ON) 12.5 pF
• Ron 3 Ω 到 6 Ω（Vcc = 4.5 V, V = 0, I = 64 mA 到 30 mA）
• tpd# 传播延迟 0.15 ns
• ten 使能时间 1.5 ns 到 4.7 ns
• tdis 禁用时间 1.5 ns 到 4.7 ns
• VOUTU 2 V 到 VOH-0.3 V

• USB 接口
• 内存交错
• 总线隔离
• 低失真信号门控